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徐永兵

工作单位:南京大学
职称: 教授
研究方向:电子材料与器件、自旋电子学、自旋存储芯片(MRAM,SpinFET)、超快材料科学

专家简介

专长于先进电子材料与器件、自旋电子学、自旋存储芯片(MRAM,SpinFET)、超快材料科学的研究,在Prog.Mater.Sci.,Sci.Adv.,Phys. Rev. Lett., Nat. Comm., Adv. Mater., Nano Letter, ACS Nano 等SCI学术期刊上发表研究论文300多篇,申请及授权相关专利30余项,是零磁场下STT 效应 (STT-MRAM)及自旋芯片材料(SpinFET)的开创者之一。 2000年获英国国家工程和物理科学研究部杰出科学奖EPSRC Advanced Fellowship Award,为当年剑桥大学唯一入选者。任英、中、美十多所著名大学组成的世界大学联盟WUN“自旋电子学”重大国际合作项目执行委员会主席,是美国自然科学基金评审委员会委员,欧洲科学基金评审委员会委员,英国物理协会委员会委员,英国科技部十年规划委员会委员,是五次国际自旋电子学会议的大会主席
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